| 应力作用下CrSi_2电子结构的第一性原理计算 |
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| 引用本文： | 周士芸,谢泉,闫万珺,陈茜.应力作用下CrSi_2电子结构的第一性原理计算[J].中国科学(G辑),2009(4). |
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| 作者姓名： | 周士芸 谢泉 闫万珺 陈茜 |
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| 作者单位： | 贵州大学电子科学系;贵州大学新型光电子材料与技术研究所;贵州安顺学院物理系; |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号:60566001,60766002);;教育部博士点专项科研基金(编号:20050657003);;贵州省优秀科技教育人才省长专项基金;;贵州省优秀青年科技人才培养计划项目(编号:黔科合人20050528);;教育部留学回国科研基金(编号:教外司(2005)383);;贵州省留学人员科技项目(编号:黔人项目(2004)03);;贵州省委组织部高层次人才科研资助项目 |
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| 摘 要： | 应用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波超软赝势方法计算了CrSi2在应力作用下的电子结构,分析和比较了体系的能带结构、态密度及应力对CrSi2体系电子结构的影响.计算结果表明CrSi2在单轴向应力的作用下,随着压力的逐渐增大,导带向高能方向移动,带隙Eg明显展宽;随着负压力的逐渐增大,带隙缓慢减小,当沿a轴的负压力达到约-18.5GPa时,CrSi2将会由间接跃迁型半导体转变为直接跃迁型半导体,直接带隙宽度Eg=0.32eV.
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| 关 键 词： | CrSi2 第一性原理 应力 电子结构 |
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