| 应力作用下CrSi2电子结构的第一性原理计算 |
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| 引用本文： | 周士芸,谢泉,闫万珺,陈茜.应力作用下CrSi2电子结构的第一性原理计算[J].中国科学(G辑),2009,39(4):587-591. |
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| 作者姓名： | 周士芸 谢泉 闫万珺 陈茜 |
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| 作者单位： | ① 贵州大学电子科学系, 贵州大学新型光电子材料与技术研究所, 贵阳 550025;
② 贵州安顺学院物理系, 安顺 561000 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号: 60566001, 60766002)、教育部博士点专项科研基金(编号: 20050657003)、贵州省优秀科技教育人才省长专项基金、贵州省优秀青年科技人才培养计划项目(编号: 黔科合人20050528)、教育部留学回国科研基金(编号: 教外司(2005)383)、贵州省留学人员科技项目(编号: 黔人项目(2004)03)和省委组织部高层次人才科研资助项目 |
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| 摘 要： | 应用基于密度泛函理论（DFT）的第一性原理平面波超软赝势方法计算了CrSi2在应力作用下的电子结构，分析和比较了体系的能带结构、态密度及应力对CrSi2体系电子结构的影响．计算结果表明CrSi2在单轴向应力的作用下，随着压力的逐渐增大，导带向高能方向移动，带隙丘明显展宽；随着负压力的逐渐增大，带隙缓慢减小，当沿α轴的负压力达到约-18．5GPa时，CrSi2将会由间接跃迁型半导体转变为直接跃迁型半导体，直接带隙宽度Eg=0．32eV．
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| 关 键 词： | CrSi2 第一性原理 应力 电子结构 |
| 收稿时间： | 2008-03-14 |
| 修稿时间： | 2008-06-13 |
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