| EB-PVD制备硅基SiC薄膜及其性能研究 |
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| 引用本文： | 潘训刚,何晓雄,胡冰冰,马志敏.EB-PVD制备硅基SiC薄膜及其性能研究[J].合肥工业大学学报(自然科学版),2012,35(12). |
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| 作者姓名： | 潘训刚 何晓雄 胡冰冰 马志敏 |
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| 作者单位： | 合肥工业大学电子科学与应用物理学院,安徽合肥,230009 |
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| 基金项目： | 安徽省自然科学基金资助项目，安徽省高校省级自然科学研究重点资助项目 |
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| 摘 要： | 文章采用电子束蒸发物理气相沉积(EB-PVD)技术在单晶Si片上制备SiC薄膜,通过台阶仪(surface profiler)、原子力显微镜(AFM)、半导体综合测试仪、X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对薄膜表面形貌、电学性能及其结构进行分析.结果表明:SiC薄膜越厚,表面平均粗糙度越低；退火温度越高,薄膜结晶质量越好；对SiC薄膜进行辐照的光频率越高,光电流越大.
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| 关 键 词： | SiC薄膜 电子束蒸发物理气相沉积 原子力显微镜 扫描电子显微镜 X射线衍射 |
Preparation and properties of SiC film deposited by EB-PVD |
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| PAN Xun-gang,HE Xiao-xiong,HU Bing-bing,MA Zhi-min.Preparation and properties of SiC film deposited by EB-PVD[J].Journal of Hefei University of Technology(Natural Science),2012,35(12). |
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| Authors: | PAN Xun-gang HE Xiao-xiong HU Bing-bing MA Zhi-min |
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