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| 低温等离子体淀积氢化氮化硅 | |
| 引用本文： | 汪树成.低温等离子体淀积氢化氮化硅[J].合肥工业大学学报(自然科学版),1984(3). |
| 作者姓名： | 汪树成 |
| 摘 要： | 本文介绍了低温等离子体淀积氢化氮化硅工艺技术和解释了该特性,这些特性包括结构(Si—H,N—H和Si—N);组份(Si/N);物理和电学特性。 本工艺特色:(1)直接复盖于硅器件表面,(2)采用了辉光放电电抛光工艺,降低漏电(1～2)个数量级,使击穿特性由软变硬。 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
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