| 拓扑绝缘体Bi2Se3光电性能研究 |
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| 引用本文： | 周勇,仇怀利,王朝东,徐伟,陈实,李中军.拓扑绝缘体Bi2Se3光电性能研究[J].合肥工业大学学报(自然科学版),2019,42(10). |
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| 作者姓名： | 周勇 仇怀利 王朝东 徐伟 陈实 李中军 |
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| 作者单位： | 合肥工业大学电子科学与应用物理学院,安徽合肥,230601;合肥工业大学电子科学与应用物理学院,安徽合肥,230601;合肥工业大学电子科学与应用物理学院,安徽合肥,230601;合肥工业大学电子科学与应用物理学院,安徽合肥,230601;合肥工业大学电子科学与应用物理学院,安徽合肥,230601;合肥工业大学电子科学与应用物理学院,安徽合肥,230601 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;安徽省自然科学基金 |
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| 摘 要： | 文章基于分子束外延法(molecular beam epitaxy,MBE)制备高质量的硒化铋(Bi_2Se_3)薄膜,运用反射式高能电子衍射仪(reflection high-energy electron diffraction,RHEED)表征样品的生长质量。在Bi_2Se_3和Ge上将蒸镀铟(In)电极和银(Ag)电极分开,并将其制成肖特基结光电探测器,据此测量了样品在不同波长激光和不同温度下的光响应特性及低温对样品的影响,并通过计算样品的响应度、开关比、探测率等参数分析了拓扑绝缘体在光电探测方面的应用前景。
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| 关 键 词： | 拓扑绝缘体 硒化铋 锗 分子束外延 光响应 |
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