| 半导体瞬态问题的一维三次有限体积方法及分析 |
| |
| 引用本文： | 陈传军.半导体瞬态问题的一维三次有限体积方法及分析[J].山东大学学报(理学版),2004,39(6):13-19. |
| |
| 作者姓名： | 陈传军 |
| |
| 作者单位： | 山东大学,数学与系统科学学院,山东,济南,250100 |
| |
| 基金项目： | 国家重点基础研究专项经费资助项目(G1999032803)，国家自然科学基金资助项目(10372052,10271066)，教育部博士点基金资助项目(20030422047) |
| |
| 摘 要： | 半导体瞬态问题的数学模型是一类抛物-椭圆耦合方程组．电子位势方程是椭圆的，另两个关于电子和空穴浓度方程是抛物的．针对一维问题提出了有限体积方法的三次元格式，并在相当一般的情况下得到了次优阶L^2误差估计．数值试验验证了该方法的有效性．
|
| 关 键 词： | 半导体 三次元 有限体积方法 误差估计 |
| 文章编号： | 1671-9352(2004)06-0013-07 |
| 修稿时间： | 2003年10月23 |
One dimension cubic finite volume methods and analysis for the transient behavior of a semiconductor device |
| |
| CHEN Chuan-jun.One dimension cubic finite volume methods and analysis for the transient behavior of a semiconductor device[J].Journal of Shandong University,2004,39(6):13-19. |
| |
| Authors: | CHEN Chuan-jun |
| |
| Abstract: | The transient behavior of a semiconductor device is governed by a coupled system of three quasilinear partial differential equations for the electric potential and the concentrations of holes and electron. A cubic scheme for finite volume methods of one dimension problems is given. In general condition get the suboptimal L2 error estimates. The numerical example demonstrates the effect of the methods. |
| |
| Keywords: | semiconductor cubic finite volume methods error estimates |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
