| 第一性原理设计非临界位相匹配二次谐波材料CdSi1-xGexAs2 |
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| 引用本文： | 姜晓庶,米庶.第一性原理设计非临界位相匹配二次谐波材料CdSi1-xGexAs2[J].山西大学学报(自然科学版),2008,31(4). |
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| 作者姓名： | 姜晓庶 米庶 |
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| 作者单位： | 1. 山西大学,物理电子工程学院,山西,太原,030006
2. Department of Physics Case Western reserve University,Cleveland,OH,44106,USA |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，山西省青年科技项目，山西留学基金 |
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| 摘 要： | 通过第一性原理研究了基于II-IV-V2族CKP半导体中CdSiAs2的非临界位相匹配二次谐波材料.根据量化双折射性同应力的线性关系,它的负双折射性使之能够通过应力、温度调节以及同CdGeAs2混合来设计非临界位相匹配材料.计算显示,少量的掺杂Ge(<5%),CdSi1-xGexAs2能够实现非临界位相匹配I类二次谐波产生(SHG)在CO2激光谱线范围可调谐,它可能具有很高的有效χ(2).
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| 关 键 词： | 非临界位相匹配 二次谐波 密度泛函理论 |
Density Functional Theory Study of NCPM SHG Materials CdSi1-xGexAs2 |
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| JIANG Xiao-shu,MI Shu,Walter R.L.Lambrecht.Density Functional Theory Study of NCPM SHG Materials CdSi1-xGexAs2[J].Journal of Shanxi University (Natural Science Edition),2008,31(4). |
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| Authors: | JIANG Xiao-shu MI Shu Walter RLLambrecht |
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