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一维光子晶体禁带的特点及增宽
引用本文:陈慰宗,忽满利,李绍雄,高平安,申影.一维光子晶体禁带的特点及增宽[J].西北大学学报,2002,32(6):625-628.
作者姓名:陈慰宗  忽满利  李绍雄  高平安  申影
作者单位:西北大学物理学系,陕西省西安710069
基金项目:西北大学校内科研基金资助项目。
摘    要:用光学导纳特征矩阵方法研究了光波在一维光子晶体中的传播,分析了光子禁带的特点及其一维光子晶体结构的关系,指出了增宽光子禁带的几种可行的方法。

关 键 词:一维光子晶体  光子禁带  特征矩阵法  禁带宽度  增宽方法  光子带隙材料
文章编号:1000-274X(2002)06-0625-04
修稿时间:2001年9月13日

Character and widness of forbidden band of one-dimensional photonic crystal
Abstract:
Keywords:one-dimensional photonic crystal  photonic forbidden band  method of characteristic matrix  widen forbidden band
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