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一维光子晶体禁带的特点及增宽
引用本文:
陈慰宗,忽满利,李绍雄,高平安,申影.一维光子晶体禁带的特点及增宽[J].西北大学学报,2002,32(6):625-628.
作者姓名:
陈慰宗
忽满利
李绍雄
高平安
申影
作者单位:
西北大学物理学系,陕西省西安710069
基金项目:
西北大学校内科研基金资助项目。
摘 要:
用光学导纳特征矩阵方法研究了光波在一维光子晶体中的传播,分析了光子禁带的特点及其一维光子晶体结构的关系,指出了增宽光子禁带的几种可行的方法。
关 键 词:
一维光子晶体
光子禁带
特征矩阵法
禁带宽度
增宽方法
光子带隙材料
文章编号:
1000-274X(2002)06-0625-04
修稿时间:
2001年9月13日
Character and widness of forbidden band of one-dimensional photonic crystal
Abstract:
Keywords:
one-dimensional photonic crystal
photonic forbidden band
method of characteristic matrix
widen forbidden band
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