| 电致发热SiC多孔陶瓷导电性能研究 |
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| 引用本文： | 樊子民,王晓刚,强云霄.电致发热SiC多孔陶瓷导电性能研究[J].西安科技大学学报,2005,25(2):190-193. |
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| 作者姓名： | 樊子民 王晓刚 强云霄 |
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| 作者单位： | 西安科技大学,材料科学与工程系,陕西,西安,710054 |
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| 摘 要： | 研究了Al，B和Zr元素对电致发热多孔碳化硅陶瓷导电性的影响。室温电阻率测定表明，加入Al，B和Zr都可显著降低电致发热多孔碳化硅陶瓷的电阻率，随着Al，B和Zr加入量的增加，试样的室温电阻率下降。讨论了Al，B和Zr在碳化硅中的存在形式，并分析了试样的导电机理。
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| 关 键 词： | 电致发热 性能研究 多孔陶瓷 SiC 碳化硅陶瓷 电阻率测定 室温电阻率 存在形式 导电机理 Al Zr 导电性 加入量 试样 |
| 文章编号： | 1672-9315(2005)02-0190-04 |
| 修稿时间： | 2004年5月10日 |
The conductive mechanism and performance of the heating element porous SiC |
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| FAN Zi-min,WANG Xiao-gang,QIANG Yun-xiao.The conductive mechanism and performance of the heating element porous SiC[J].JOurnal of XI’an University of Science and Technology,2005,25(2):190-193. |
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| Authors: | FAN Zi-min WANG Xiao-gang QIANG Yun-xiao |
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| Abstract: | The effect of additional Al,B and Zr on the electrical conductivity of heating element porous ceramics of silicon carbide was studied. By electrical resistivity measured at room temperature, it shows that resistivity decrease by adding Al,B and Zr. With increased contents of additives,the electrical resistivity of porous ceramics SiC decreases. The existent form of Al,B and Zr in SiC is discussed. The conductive mechanism is analyzed. |
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| Keywords: | heating element silicon carbide porous ceramics conductive mechanism |
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