| pH值对硅掺杂TiO2薄膜光电化学性能的影响 |
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| 引用本文： | 孙钰珺,崔晓莉.pH值对硅掺杂TiO2薄膜光电化学性能的影响[J].复旦学报(自然科学版),2013,52(1):9-14. |
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| 作者姓名： | 孙钰珺 崔晓莉 |
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| 作者单位： | 复旦大学材料科学系,上海,200433 |
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| 基金项目： | 上海市科学技术委员会纳米专项资助项目 |
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| 摘 要： | 以Ti-Si镶嵌靶采用直流反应磁控溅射法制备了Si掺杂TiO2薄膜(Si-TiO2).通过场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)、X-射线光电子能谱(XPS)及紫外-可见光吸收光谱对样品进行了表征,研究了薄膜样品在不同pH值的电解液中的光电化学性能.XPS结果表明,Si-TiO2中存在Ti-O-Si键,表明Si原子以掺杂形式进入TiO2晶格;与纯TiO2相比,Si-TiO2的表面颗粒尺寸有所增大,光学吸收带边发生红移.在pH值为1～13的电解液中,Si-TiO2薄膜相比纯TiO2薄膜的光电化学响应提高.碱性电解液尤其是pH值大于12时能够进一步提高Si-TiO2薄膜的光电化学性能,而酸性电解液则比较难以使样品的光电化学性能得到提高.
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| 关 键 词： | 二氧化钛 硅掺杂 直流反应磁控溅射 pH值 光电化学性能 |
Influence of pH on the Photoelectrochemical Properties of Silicon-doped TiO2 Thin Film |
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| SUN Yu-jun,CUI Xiao-li.Influence of pH on the Photoelectrochemical Properties of Silicon-doped TiO2 Thin Film[J].Journal of Fudan University(Natural Science),2013,52(1):9-14. |
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| Authors: | SUN Yu-jun CUI Xiao-li |
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| Institution: | (Department of Materials Science,Fudan University,Shanghai 200433,China) |
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