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国产空间实用太阳电池抗质子辐射性能研究
引用本文:王荣,司戈丽,张新辉,郭增良,翟佐绪.国产空间实用太阳电池抗质子辐射性能研究[J].北京师范大学学报(自然科学版),2001,37(4):507-510.
作者姓名:王荣  司戈丽  张新辉  郭增良  翟佐绪
作者单位:1. 北京师范大学低能核物理研究所,
2. 信息产业部第十八研究所,
基金项目:教育部重点实验室基金;;
摘    要:研究了国产卫星用背场Si太阳电池和GaAs/Ge太阳电池性能随质子辐照注量1×109 -5 × 1013 cm-2的变化.实验表明,2种太阳电池的电性能随辐照注量增加有不同的衰降趋势.背场 Si太阳电池性能参数短路电流Isc和最大输出功率Pmax衰降变化快,辐照注量为2 × 1010cm-2时, Pmax就已衰降为原值的75%,而GaAs/Ge太阳电池对应相同的衰降辐照注量达8×1011cm-2,且 Isc和Pmax衰降变化起初缓慢,当辐照注量接近3 × 1012 cm-2时才迅速下降.背场Si太阳电池性能 衰降与质子辐照引入的Ev+0.14 eV和Ev+0.43 eV深能级有关,而GaAs/Ge太阳电池性能衰降 与辐照产生的Ec-0.41 eV深能级有关.

关 键 词:Si太阳能  GaAs/Ge太阳电池  质子辐照  砷化镓  
修稿时间:2001年3月19日

A STUDY ON PROTON IRRADIATION EFFECTS OF HOME-MADE SOLAR CELL FOR SPACE USE
Wang Rong Si Geli Zhang Xinhui Guo Zengliang Zhai Zuoxu.A STUDY ON PROTON IRRADIATION EFFECTS OF HOME-MADE SOLAR CELL FOR SPACE USE[J].Journal of Beijing Normal University(Natural Science),2001,37(4):507-510.
Authors:Wang Rong Si Geli Zhang Xinhui Guo Zengliang Zhai Zuoxu
Institution:Wang Rong1) Si Geli1) Zhang Xinhui2) Guo Zengliang2) Zhai Zuoxu2)
Abstract:
Keywords:Si solar cell  GaAs/Ge solar cell  proton irradiation
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