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| 钕离子注入单晶硅合成硅化物的研究 | |
| 引用本文： | 肖志松,程国安,张通和.钕离子注入单晶硅合成硅化物的研究[J].北京师范大学学报(自然科学版),1999,35(2):200-203. |
| 作者姓名： | 肖志松 程国安 张通和 |
| 作者单位： | 北京师范大学低能核物理研究所 |
| 摘 要： | 用ＭＥＶＶＡ离子源将Ｎｄ离子注入到单晶硅中形成钕硅掺杂层，用ＸＲＤ分析了掺杂层的物相，用ＡＥＳ分析了掺杂层中离子的浓度分布，分析表明，在强流钕离子注入后，掺杂层中有硅化物形成，且形成相的种类随注量，束流密度及后续热处理条件的改变而变化，还对钕硅化物的形成过程进行了初步讨论。 |
| 关 键 词： | 离子注入 单晶硅 硅化物 钕 半导体 |
| 修稿时间： | 1998-12-29 |
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