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| MEVVA源离子束合成镧硅化物 | |
| 引用本文： | 肖志松,徐飞,程国安,易仲珍,张通和.MEVVA源离子束合成镧硅化物[J].北京师范大学学报(自然科学版),2000,36(2):200-204. |
| 作者姓名： | 肖志松 徐飞 程国安 易仲珍 张通和 |
| 作者单位： | 1. 北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室,北京师范大学低能核物理研究所,北京市辐射中心,100875,北京 2. 北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室,北京师范大学低能核物理研究所,北京市辐射中心,100875,北京;南昌大学材料科学与工程系,330047,南昌 3. 南昌大学材料科学与工程系,330047,南昌 |
| 摘 要： | 用ＭＥＶＶＡ离子源将Ｌａ离子注入到单晶硅中形成掺杂层，用ＸＲＤ，ＳＥＭ分子掺杂层的物相和表面形貌。分析表明，在强流离子注入后，掺杂层中有硅化物形成，且形成相的种类与注量，束流密度及后续热处理条件密切相关，对Ｌａ硅化物的形成过程进行了讨论。 |
| 关 键 词： | 离子注入 硅化物 物相 表面形貌 |
FORMATION OF La SILICIDES BY MEVVA ION IMPLANTATION |
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| Xiao Zhisong,Xu Fei,Cheng Guoan,Yi Zhongzhen,Zhang Tonghe.FORMATION OF La SILICIDES BY MEVVA ION IMPLANTATION[J].Journal of Beijing Normal University(Natural Science),2000,36(2):200-204. | |
| Authors: | Xiao Zhisong Xu Fei Cheng Guoan Yi Zhongzhen Zhang Tonghe |
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