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溅射压强对柔性PET衬底ZnO薄膜性能的影响
引用本文:刘汉法,类成新,张化福.溅射压强对柔性PET衬底ZnO薄膜性能的影响[J].科技创新导报,2012(4):730-734.
作者姓名:刘汉法  类成新  张化福
作者单位:山东理工大学理学院,山东理工大学理学院,山东理工大学理学院
基金项目:山东省自然科学基金(ZR2009GL015)资助项目
摘    要:利用直流磁控溅射法,在室温水冷柔性PET衬底上成功制备出了掺钛氧化锌(ZnO:Ti,TZO)透明导电薄膜。通过X射线衍射(XRD)研究了薄膜的结构,用扫描电镜(SEM)研究了薄膜的表面形貌,用四探针和紫外-可见分光光度计等仪器对薄膜的特性进行测试分析,研究了溅射压强对ZnO:Ti薄膜表面结构、形貌、力学、电学和光学性能的影响。结果表明,溅射压强对PET衬底上的TZO薄膜的性能有显著的影响,实验制备的ZnO:Ti薄膜为具有C轴择优取向的六角纤锌矿结构的多晶薄膜;当溅射压强从2Pa增加到4Pa时,薄膜的电阻率由10.87×10-4Ω.cm快速减小到4.72×10-4Ω.cm,随着溅射压强由4Pa继续增大到6Pa,薄膜的电阻率变化平缓,溅射压强为5Pa时薄膜的电阻率最小,为4.21×10-4Ω.cm;经计算得到6Pa时样品薄膜应力最小,为0.785 839GPa;所有样品都具有高于91%的可见光区平均透过率。

关 键 词:TZO薄膜  透明导电薄膜  应力  溅射压强

Effect of sputtering pressure on structure and optoelectrical properties of TZO films deposited on flexible PET substrate by DC magnetron sputtering at room temperature
LIU Han-f,LEI Cheng-xin and ZHANG Hua-fu.Effect of sputtering pressure on structure and optoelectrical properties of TZO films deposited on flexible PET substrate by DC magnetron sputtering at room temperature[J].Science and Technology Consulting Herald,2012(4):730-734.
Authors:LIU Han-f  LEI Cheng-xin and ZHANG Hua-fu
Institution:School of Science,Shandong University of Technology,Zibo 255049,China,School of Science,Shandong University of Technology,Zibo 255049,China and School of Science,Shandong University of Technology,Zibo 255049,China
Abstract:
Keywords:Titanium-doped zinc oxide(TZO) film  transparent conducting film  strain  sputtering pressure
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