| 低温沉积Cu(InxGa1-x)Se2薄膜 |
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| 引用本文： | 肖健平,何青,陈亦鲜,夏明.低温沉积Cu(InxGa1-x)Se2薄膜[J].科技导报(北京),2008,26(11). |
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| 作者姓名： | 肖健平 何青 陈亦鲜 夏明 |
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| 作者单位： | 西南民族大学电气信息工程学院，南开大学光电子薄膜器件与技术研究所，西南民族大学电气信息工程学院，西南民族大学电气信息工程学院 成都610041 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所，天津300071，天津300071，成都610041，成都610041 |
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| 摘 要： | 采用多元共蒸发工艺,在Mo覆盖的碱石灰玻璃上沉积Cu(In_xGa_(1-x))Se_2薄膜。利用X射线衍射仪、霍尔测试仪研究了Cu(In_xGa_(1-x))Se_2薄膜的晶体结构、导电性质,探讨了低温沉积过程中衬底温度与薄膜结构特性、电学特性的关系。测试结果表明,衬底温度对掺杂程度、晶相单一性、晶粒尺寸、电阻率有重要影响。衬底温度低于500℃时,CIGS材料性能会出现明显劣化。
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| 关 键 词： | 低温沉积 Cu(In_xGa_(1-x))Se_2 结构特性 |
Low Temperature Deposition of Cu(InxGa1-x)Se2 Thin Films |
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| XIAO Jianping,HE Qing,CHEN Yixian,XIA Ming.Low Temperature Deposition of Cu(InxGa1-x)Se2 Thin Films[J].Science & Technology Review,2008,26(11). |
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| Authors: | XIAO Jianping HE Qing CHEN Yixian XIA Ming |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | low temperature deposition Cu(In_xGa_(1-x))Se_2 thin films structural properties |
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