| 腔室长时间使用造成的工艺漂移对微晶硅薄膜性质的影响 |
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| 引用本文： | 张鹤,戴志华,张晓丹,魏长春,孙建,耿新华,赵颖.腔室长时间使用造成的工艺漂移对微晶硅薄膜性质的影响[J].科技导报(北京),2009,27(20):19-21. |
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| 作者姓名： | 张鹤 戴志华 张晓丹 魏长春 孙建 耿新华 赵颖 |
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| 作者单位： | 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所; |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)项目(2006CB202602,2006CB202603);;国家自然科学基金项目(60506003);;国家科技计划配套项目(07QTPTJC29500) |
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| 摘 要： | 考查了等离子体增强化学气相沉积(PECVD)高压制备微晶硅(μc-Si:H)薄膜过程中,系统长时间使用造成的微晶硅薄膜特性的漂移情况。实验中,控制沉积条件,使薄膜的沉积速率达到约0.5nm/s;保证硅薄膜具有一定的晶化程度(40%～80%),由不同探测波长的Raman散射谱估算纵向结构变化。以腔室使用时间作为基准,考查不同硅烷浓度下制备的样品,发现在相同沉积条件下,材料的晶化率和光暗电导随腔室使用时间的增加而不断增大,沉积速率随之大幅提高。观察发现,在电极板和腔室壁上积累了大量硅反应残留物(硅粉末和硅薄膜),分析认为,薄膜特性漂移是这些硅残留物不断参与等离子体及成膜反应的结果。研究表明,提高硅烷浓度可有效校正微晶硅薄膜电学及结构特性的漂移,同时保持高速沉积。
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| 关 键 词： | 微晶硅薄膜 等离子体增强化学气相沉积 工艺漂移 硅粉末 |
Effects of Drift Due to Chamber's Long-time Usage on Microcrystalline Silicon Properties |
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| ZHANG He,DAI Zhihua,ZHANG Xiaodan,WEI Changchun,SUN Jian,GENG Xinhua,ZHAO Ying Institute of Photo-electronics,Nankai University,Tianjin ,China.Effects of Drift Due to Chamber''s Long-time Usage on Microcrystalline Silicon Properties[J].Science & Technology Review,2009,27(20):19-21. |
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| Authors: | ZHANG He DAI Zhihua ZHANG Xiaodan WEI Changchun SUN Jian GENG Xinhua ZHAO Ying Institute of Photo-electronics Nankai University Tianjin China |
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| Institution: | ZHANG He,DAI Zhihua,ZHANG Xiaodan,WEI Changchun,SUN Jian,GENG Xinhua,ZHAO Ying Institute of Photo-electronics,Nankai University,Tianjin 300071,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | microcrystalline silicon thin film plasma enhanced chemical vapor deposition process drift silicon powder |
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