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半导体量子点Rabi振荡品质因子及其退相干机制
引用本文:王取泉,刘绍鼎,周慧君,程木田,肖思.半导体量子点Rabi振荡品质因子及其退相干机制[J].科技导报(北京),2006,24(1):11-14.
作者姓名:王取泉  刘绍鼎  周慧君  程木田  肖思
作者单位:武汉大学物理系 武汉430072
基金项目:国家自然科学基金重点项目(10534030,10474075)
摘    要:采用光致发光方法和纳米光谱成像技术,研究了单个半导体量子点中激发态激子的Rabi振荡。观测了在两个延时位相可控的!/2脉冲激发下,激发态激子数随其量子比特位相旋转而振荡的特性。由实验观测结果分析得知此单个半导体量子点量子比特的自由旋转品质因子约为9.8×104,动力旋转品质因子约为18。讨论了激子从浸润层到量子点的俘获过程对Rabi振荡衰减退相干的影响。简要分析了量子点的激子自旋操控和单光子发射统计特性。

关 键 词:Rabi振荡  半导体量子点  量子比特  量子计算
文章编号:1000-7857(2006)01-0011-04
收稿时间:2005-12-09
修稿时间:2005年12月9日

Quality Factor and Decoherence Mechanism of Rabi Oscillation in Semiconductor Quantum Dot
WANG Qu-quan,LIU Shao-ding,ZHOU Hui-jun,CHENG Mu-tian,XIAO Si.Quality Factor and Decoherence Mechanism of Rabi Oscillation in Semiconductor Quantum Dot[J].Science & Technology Review,2006,24(1):11-14.
Authors:WANG Qu-quan  LIU Shao-ding  ZHOU Hui-jun  CHENG Mu-tian  XIAO Si
Abstract:
Keywords:Rabi oscillation  semiconductor quantum dot  qubit  quantum computation
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
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