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N_2O和CO在Ga/ZSM-5上吸附和反应机理的密度泛函研究
引用本文:郭玥,刘琼,张干兵,钟欣欣,胡玮,田丽红,夏清华.N_2O和CO在Ga/ZSM-5上吸附和反应机理的密度泛函研究[J].湖北大学学报(自然科学版),2018(2).
作者姓名:郭玥  刘琼  张干兵  钟欣欣  胡玮  田丽红  夏清华
作者单位:有机化工新材料湖北省协同创新中心有机功能分子合成与应用教育部重点实验室湖北大学化学化工学院;
摘    要:采用3T簇模型来模拟Ga/ZSM-5分子筛的镓离子活性位,用密度泛函理论方法 UB3LYP及UM06-2x在6-31+G*基组水平上,研究N_2O与CO在镓离子交换分子筛Ga/ZSM-5上吸附、催化的反应路径中各驻点的结构和能量学以探讨有关机理.结果表明,当N_2O和CO同时存在于Ga/ZSM-5上时,存在η1-N和η1-C与η1-O模式之间的竞争吸附;若N_2O和CO先后分别吸附在Ga/ZSM-5和Ga O/ZSM-5上则构成催化循环.因循环反应的决速过渡态(N_2O的分解步过渡态)相对于反应的入口通道有太正的Gibbs自由能(+35.5 k J·mol-1),虽然循环总放热为348.1 k J·mol-1,但常温下整个催化循环的TOF仅为23.50 s-1,因此N_2O的催化分解及还原在常温常压下难以发生.计算结果与实验事实一致.

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