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应用射频磁控溅射方法制备声表面波器件用ZnO薄膜
引用本文:章天金,顾豪爽.应用射频磁控溅射方法制备声表面波器件用ZnO薄膜[J].湖北大学学报(自然科学版),2002,24(3):232-234.
作者姓名:章天金  顾豪爽
作者单位:湖北大学物理学与电子技术学院,湖北武汉430062
基金项目:武汉市晨光计划(20015005032)项目
摘    要:采有RF平面磁控溅射技术在单昌Si(100)衬底上淀积了ZnO薄膜。对退火前后ZnO薄膜的结构特性、化学组份以及缺陷特性进行了详细的研究。结果表明:在纯氧中高温退火(600℃)是改善ZnO压电薄膜的结构特性、化学组份并减少缺陷的良好方法。

关 键 词:射频磁控溅射方法  制备  ZnO薄膜  氧化锌薄膜  声表面波器件  退火特性  n型半导体  薄膜结构  化学组份
文章编号:1000-2375(2002)03-0232-03
修稿时间:2002年5月22日

RF megnetic sputtering deposited zinc oxide films for surface acoustic wave applications
Zhang Tianjin,Gu Haoshuang.RF megnetic sputtering deposited zinc oxide films for surface acoustic wave applications[J].Journal of Hubei University(Natural Science Edition),2002,24(3):232-234.
Authors:Zhang Tianjin  Gu Haoshuang
Abstract:Zinc oxide (ZnO) thin films were deposited on Si( 100) byR.F. plane magnetic - control sputtering system.Structure of ZnO films,chemical compositions of Zn and 0 in the films,and the defect properties were investigated in detail for both the pre - annealed and annealed samples. It was proved that annealing in pure 02 at a high temperature is a practical way to improve the structure of the films and chemical compositions of Zn and 0 in the films, and decrease the defect density as well.
Keywords:magnetic - control sputtering system  ZnO films  SAW  anneal
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