| Nd掺杂对Bi4Ti3O12单晶的结构和电学性能的影响 |
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| 引用本文： | 梁坤,贺小庆,谢文明,龙展鹏.Nd掺杂对Bi4Ti3O12单晶的结构和电学性能的影响[J].湖北大学学报(自然科学版),2008,30(3). |
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| 作者姓名： | 梁坤 贺小庆 谢文明 龙展鹏 |
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| 作者单位： | 湖北大学材料科学与工程学院,湖北武汉430062 |
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| 摘 要： | 采用高温溶液生长法生长铁电Bi4-xNdxTi3O12(BNdT)单晶,并研究了BNdT的结构和电学性能.XRD结构精修的结果表明Nd掺杂将导致晶格常数和晶胞体积发生变化,铁电性能的测试表明Nd掺杂降低了BNdT单晶的剩余极化,BNdT的自发极化的估算和铁电测量结果有着相同的变化趋势.Nd的A位掺杂同时也导致BNdT单晶沿各个方向漏电流密度的减小,而由于(Bi2O2)2 层的存在,BNdT单晶沿c方向显示出更低的漏电流密度.
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| 关 键 词： | 单晶生长 铁电材料 漏电流 |
Effect of Nd substitution on the structure and electrical properties of Bi4Ti3O12 single crystals |
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| Keywords: | Bi4-xNdxTi3O12 |
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