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掺杂方式对Mg:Ba0.3Sr0.7Zr0.18Ti0.82O3陶瓷微结构及性能的影响
引用本文:孙晓剑,樊明雷,张小山,曾静,余萍.掺杂方式对Mg:Ba0.3Sr0.7Zr0.18Ti0.82O3陶瓷微结构及性能的影响[J].湖北大学学报(自然科学版),2013(2):176-179.
作者姓名:孙晓剑  樊明雷  张小山  曾静  余萍
作者单位:四川大学材料科学与工程学院
基金项目:国家自然科学基金云南联合基金(u0837605)资助
摘    要:采用溶-凝胶法制备Mg:Ba0.3Sr0.7Zr0.18Ti0.82O3陶瓷粉末,以传统陶瓷制备工艺制备Mg元素掺杂的Mg:Ba0.3Sr0.7Zr0.18Ti0.82O3陶瓷.研究MgO掺杂量为1.6%(质量分数)时,MgO固相掺杂和Mg计湿化学法掺杂两种不同的掺杂方式对Mg掺杂的Mg:Ba0.3Sr0.7Zr0.18Ti0.82O3陶瓷显微结构及电学性能的影响.研究结果表明,当Mg掺杂量相同时,掺杂方式对Mg掺杂的Mg:Ba0.3Sr0.7Zr0.18Ti0.82O3。陶瓷的显微结构和电学特性有显著的影响,相比纯的Mg:Ba0.3Sr0.7Zr0.18Ti0.82O3陶瓷,两种掺杂方式中,Mg2+湿化学法掺杂相对于MgO固相掺杂,在BSZT陶瓷中的分布更均匀,替位程度更高,所以其对介电常数的影响也相对更大.而MgO固相掺杂相对于Mg2+湿化学法掺杂明显地促进了陶瓷晶粒的生长,提高了陶瓷的致密性,同时其击穿电场和电阻率也有较大提高.1350℃下烧结的固相MgO掺杂的Mg:Ba0.3Sr0.7Zr0.18Ti0.82O3陶瓷性能较优,介电常数约为590,介电损耗低于0.0005,电阻率为7.78×10^13Ω·mm,击穿场强为6.56kV/mm.

关 键 词:Mg  Ba0  3Sr0  7Zr0  18Ti0  82O3陶瓷  MgO掺杂  Mg2+掺杂  介电性能
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