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| 一种高性能CMOS带隙基准电压源的设计 | |
| 引用本文： | 杨毅,梁蓓.一种高性能CMOS带隙基准电压源的设计[J].贵州大学学报(自然科学版),2014(2). |
| 作者姓名： | 杨毅 梁蓓 |
| 作者单位： | 贵州大学电子信息学院; |
| 基金项目： | 贵州省科学技术基金项目(黔科合J字[2011]2203) |
| 摘 要： | 基于CSMC的0.5μm CMOS工艺库模型,设计了一种具有良好性能的CMOS带隙基准电压源电路,并且利用Cadence公司的Spectre仿真工具对电路进行了仿真。所设计电路产生的基准电压约为1.14 V,在-40℃到100℃的温度范围内所得到的温度系数为4.6 ppm/℃,电源抑制比在低频时为-107 dB。 |
| 关 键 词： | 带隙基准电压源 温度系数 电源抑制比 |
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