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| AlGaAs插入层对InAs/AlGaAs/GaAs量子点的尺寸分布影响 | |
| 引用本文： | 张之桓,丁召,王一,郭祥,罗子江,杨晨,杨晓珊,许筱晓.AlGaAs插入层对InAs/AlGaAs/GaAs量子点的尺寸分布影响[J].贵州大学学报(自然科学版),2018(3). |
| 作者姓名： | 张之桓 丁召 王一 郭祥 罗子江 杨晨 杨晓珊 许筱晓 |
| 作者单位： | 贵州大学大数据与信息工程学院;贵州财经大学计算机信息学院 |
| 摘 要： | 采用MBE系统,在GaAs(001)表面用S-K模式分别在原子级平坦的GaAs和AlGaAs/GaAs表面沉积3 ML的InAs量子点,利用STM研究了AlGaAs插入层对InAs/GaAs量子点尺寸分布的影响。研究发现,AlGaAs插入层会使InAs/GaAs量子点平均尺寸变小,而尺寸分布变得分散;采用不同的InAs沉积速率生长量子点,发现随着InAs沉积速率的加快,量子点平均尺寸变小,密度增大,尺寸分布更为集中。 |
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