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| InGaP/InGaAlP量子阱激光器输出特性的研究 | |
| 引用本文： | 艾德臻,郭有瑞.InGaP/InGaAlP量子阱激光器输出特性的研究[J].甘肃科技,2010,26(8). |
| 作者姓名： | 艾德臻 郭有瑞 |
| 作者单位： | 苏州建设交通高等职业技术学校,江苏,苏州,215100 |
| 摘 要： | 半导体红光激光器以其体积小、价格便宜等越来越成为人们关注的焦点。通过测定InGaP/InGaA lP量子阱激光器的I-V关系和不同电压下的发射光谱,对输出光谱的半高宽和发光峰位随外加电压的变化进行了分析。 |
| 关 键 词： | 量子阱 激光器 I-V特性 |
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