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TiO_2纳米棒阵列的水浴法制备及形貌控制
引用本文:汪雷,王卷刚,丁国华,吴强强,王柳,张晓波.TiO_2纳米棒阵列的水浴法制备及形貌控制[J].牡丹江师范学院学报(自然科学版),2015(2).
作者姓名:汪雷  王卷刚  丁国华  吴强强  王柳  张晓波
作者单位:1. 淮北师范大学 物理与电子信息学院,安徽 淮北,235000
2. 淮北师范大学 化学与材料学院,安徽 淮北,235000
基金项目:国家自然科学科学基金项目(51101067);安徽高校省级自然科学研究重点项目计划( KJ2010A303);先进功能复合材料协同创新中心2015年度开放课题
摘    要:展示一种在FTO玻璃基底上直接生长TiO2纳米棒阵列的简单方法.利用化学水浴法,通过控制反应过程中钛源和盐酸(HCl)量,在FTO导电玻璃基底上直接生长分布均匀的TiO2纳米棒阵列,棒的高度约为500nm,直径约为20nm.纳米棒阵列薄膜在退火之前为无定型结构;经过450℃退火0.5h后,为锐钛矿和金红石的混合相.

关 键 词:TiO2  纳米棒阵列  化学水浴法  形貌控制
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