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一种采用电流缓冲器的反嵌套密勒补偿型LDO
引用本文:张森,唐威,商世广,姚和平,闫冬冬.一种采用电流缓冲器的反嵌套密勒补偿型LDO[J].重庆邮电大学学报(自然科学版),2022,34(6):1102-1108.
作者姓名:张森  唐威  商世广  姚和平  闫冬冬
作者单位:西安邮电大学 电子工程学院, 西安 710121;上海电子线路智能保护工程技术研究中心, 上海 201202;上海电子线路智能保护工程技术研究中心, 上海 201202;上海维安电子有限公司, 上海 201202
基金项目:国家自然科学基金(61874087,61634004)
摘    要:为了提高低压差线性稳压器(low dropout regulator,LDO)在全负载电流范围内的稳定性,提出了一种采用电流缓冲器的反嵌套密勒补偿结构(reverse nested miller compensation with current buffers,RNMCCB)的LDO,外部补偿环使用电流镜作为反相电流缓冲器,内部补偿环使用共栅级放大器作为电流缓冲器。该补偿结构不需要额外的晶体管,保证了LDO的负反馈性质;引入两个左半平面的零点,增加了电路的相位裕度。仿真结果表明,在轻载(1mA)至重载(600mA)、输出电容为0.1~5μF环境下,最小相位裕度为38°,输出电压的下冲为10.6mV,上冲为11.7mV,达到设计要求。

关 键 词:低压差线性稳压器  反嵌套密勒补偿  电流缓冲器  稳定性
收稿时间:2021/6/1 0:00:00
修稿时间:2022/8/30 0:00:00

An LDO using reverse nested miller compensation with current buffers
ZHANG Sen,TANG Wei,SHANG Shiguang,YAO Heping,YAN Dongdong.An LDO using reverse nested miller compensation with current buffers[J].Journal of Chongqing University of Posts and Telecommunications,2022,34(6):1102-1108.
Authors:ZHANG Sen  TANG Wei  SHANG Shiguang  YAO Heping  YAN Dongdong
Institution:School of Electronic Engineering, Xi''an University of Posts and Telecommunications, Xi''an 710121, P. R. China;Shanghai Engineering Research Center of Electronic Circuit Intelligent Protection, Shanghai 201202, P. R. China;Shanghai Engineering Research Center of Electronic Circuit Intelligent Protection, Shanghai 201202, P. R. China;Wayon Electronics Co. Ltd., Shanghai 201202, P. R. China
Abstract:
Keywords:low dropout regulator  reverse nested miller compensation  current buffer  stability
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