| 一种适用于互补双极技术的双层多晶硅自对准PNP晶体管的设计 |
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| 引用本文： | 李荣强,谢正旺,曾鹏.一种适用于互补双极技术的双层多晶硅自对准PNP晶体管的设计[J].重庆邮电大学学报(自然科学版),2007,19(6):669-673. |
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| 作者姓名： | 李荣强 谢正旺 曾鹏 |
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| 作者单位： | 重庆邮电大学,重庆,400065;中国电子科技集团公司第二十四研究所,模拟集成电路国家重点实验室,重庆,400060 |
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| 摘 要： | 通过仿真与实验设计出了一种高性能的双层多晶硅自对准PNP晶体管工艺流程，分析了关键工艺技术，器件性能达到fT=8.5 GHz，β=60，BVCEO=8 V。该工艺与已有的双层多晶硅自对准NPN晶体管工艺相兼容，可用于制造高性能的互补双极电路。
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| 关 键 词： | 双层多晶硅 自对准 PNP 互补双极 |
| 文章编号： | 1673-825X（2007）06-0669-05 |
| 收稿时间： | 2007-06-25 |
| 修稿时间： | 2007-09-05 |
Design of a double poly silicon self-aligned PNP transistor for C bipolar technology |
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| LI Rong-qiang,XIE Zheng-wan,ZENG Peng.Design of a double poly silicon self-aligned PNP transistor for C bipolar technology[J].Journal of Chongqing University of Posts and Telecommunications,2007,19(6):669-673. |
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| Authors: | LI Rong-qiang XIE Zheng-wan ZENG Peng |
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| Institution: | Chongqing University of Posts and Telecommunications, Chongqing 400065, P.R. China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | double poly-silicon self-aligned PNP complementary bipolar |
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