| MISiC肖特基二极管式氢敏传感器模型研究 |
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| 引用本文： | 申君君,王巍,王玉青.MISiC肖特基二极管式氢敏传感器模型研究[J].重庆邮电大学学报(自然科学版),2008,20(6):692-695. |
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| 作者姓名： | 申君君 王巍 王玉青 |
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| 作者单位： | 重庆邮电大学,光电工程学院,重庆,400065;重庆邮电大学,光电工程学院,重庆,400065;重庆邮电大学,光电工程学院,重庆,400065 |
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| 基金项目： | 重庆市科委自然科学基金项目
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| 摘 要： | 在结合考虑6H SiC肖特基二极管正向热电子发射理论和氢吸附效应的基础上,研究了MIS氢敏传感器的敏感机理, 建立了传感器模型，具体分析了绝缘层厚度、灵敏度对传感器特性的影响。利用MATLAB对传感器的电流电压响应特性、灵敏度、电流分辨率与绝缘层之间的关系进行了仿真，结果表明绝缘层厚度、灵敏度是影响传感器性能的重要因素，并确定了在300 ℃时传感器最佳绝缘层厚度为2~2.35 nm，从而有效地提高了传感器灵敏度。
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| 关 键 词： | 6H-SIC 肖特基二极管 氢敏传感器 |
| 收稿时间： | 2008/6/20 0:00:00 |
Study on model of MISiC Schottky diodes hydrogen sensor |
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| SHEN Jun-jun,WANG Wei,WANG Yu-qing.Study on model of MISiC Schottky diodes hydrogen sensor[J].Journal of Chongqing University of Posts and Telecommunications,2008,20(6):692-695. |
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| Authors: | SHEN Jun-jun WANG Wei WANG Yu-qing |
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| Institution: | College of Electronic Engineering, Chongqing University of Posts and Telecommunications, Chongqing 400065, P.R.China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | 6H-SIC |
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