摘 要: | 利用真空蒸镀的方法,制备了结构为:ITO/m-MTDATA(20 nm)/NPB(10 nm)/Rubrene(0.2 nm)/DPVBi:BCzVBi(x nm,10%)/Alq_3(20 nm)/Cs_2CO_3:Ag_2O(2 nm,20%)/Al(100 nm)的器件.研究了掺杂层的不同厚度(x=20,25和30)对器件性能的影响.结果是当掺杂层的厚度为25 nm时,器件的性能最好.电流密度为285.064 m A/cm~2时,器件B获得最大亮度为13 560 cd/m~2,同时获得最大电流效率,为4.76 cd/A.器件的高亮度与高效率主要是因为主客体之间的能量转移很充分.
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