| 基于55 nm CMOS工艺的可变增益放大器 |
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| 引用本文： | 安文星,佟玲,刘亚轩,张娜?覮.基于55 nm CMOS工艺的可变增益放大器[J].湖南大学学报(自然科学版),2020,47(6):103-108. |
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| 作者姓名： | 安文星 佟玲 刘亚轩 张娜?覮 |
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| 作者单位： | 天津大学微电子学院,天津 300072,天津大学微电子学院,天津 300072,天津大学微电子学院,天津 300072,中国海洋大学信息科学与工程学院,山东 青岛266100 |
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| 基金项目： | 广东扬帆计划引进创新创业团队项目;国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 为了实现5G通信系统中高数据传输速率的要求,满足宽带条件下接收信号幅度的大动态范围变化,基于Global Foundries 55 nm CMOS工艺提出一种宽带且增益大范围线性变化的可变增益放大器.在该可变增益放大器中,采用改进型Cherry-Hooper放大器结构使其动态范围和电路带宽有效扩展,并利用晶体管的可调谐特性,在不使用附加电路的前提下使增益变化具有良好线性,解决了CMOS电路中放大器增益与控制电压非线性变化的难题,同时添加低截止频率的高通滤波器,消除可变增益放大器的直流偏移,并降低其误码率.版图仿真结果表明,在-33.4～46.9 dB的超宽动态范围内实现增益线性变化,3-dB带宽对应的频率达到1.89 GHz(0.000 12～1.9 GHz),可变增益放大器芯片(核心区域,不含焊盘)面积仅为0.006mm~2.该可变增益放大器指标完全满足目前5G宽带通信系统的要求.
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| 关 键 词： | 放大器 互补金属氧化物半导体 宽带 增益控制 |
A Variable Gain Amplifier Based on 55 nm CMOS Process |
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| AN Wenxing,TONG Ling,LIU Yaxuan,ZHANG Na.A Variable Gain Amplifier Based on 55 nm CMOS Process[J].Journal of Hunan University(Naturnal Science),2020,47(6):103-108. |
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| Authors: | AN Wenxing TONG Ling LIU Yaxuan ZHANG Na |
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| Abstract: | |
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