| 衬底温度对In_xGa_（1-x）N薄膜结构特性的影响 |
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| 引用本文： | 王金飞,薛玉明,祝俊刚,周凯,谭炳尧,张衷维,李石亮,裴涛,汪子涵,王一,牛伟凯,姜舒博,杨醒,蓝英杰.衬底温度对In_xGa_（1-x）N薄膜结构特性的影响[J].天津理工学院学报,2012(1):79-82. |
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| 作者姓名： | 王金飞 薛玉明 祝俊刚 周凯 谭炳尧 张衷维 李石亮 裴涛 汪子涵 王一 牛伟凯 姜舒博 杨醒 蓝英杰 |
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| 作者单位： | [1]天津理工大学天津市薄膜电子与通信器件重点实验室,天津300384 [2]天津南大强芯半导体芯片设计有限公司,天津300457 |
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| 基金项目： | 天津市教委基金资助项目（20060607）; 大学生创新实验计划项目（DCSX10-002） |
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| 摘 要： | 本文采用MOCVD工艺,通过调整衬底温度（固定其它工艺参数）来沉积用于太阳电池的InxGa1-xN薄膜,并利用X射线衍射仪（XRD）、X射线荧光光谱仪（XRF）、扫描电子显微镜（SEM）和台阶仪来分析研究其结构特性.衬底温度较低时有利于薄膜的In注入,衬底温度较高时有利于沉积高结晶质量的InxGa1-xN薄膜.当衬底温度为470℃时,在硅衬底上所沉积的InxGa1-xN薄膜In含量较高,为46.92%;薄膜表面光滑致密,粗糙度小;颗粒较大,且颗粒大小均匀.
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| 关 键 词： | InxGa1-xN薄膜 MOCVD 太阳电池 衬底温度 |
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