| 低功耗氧化铪基柔性透明阻变存储器制备及其性能研究 |
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| 引用本文： | 廖成浩,赖云锋,周海芳.低功耗氧化铪基柔性透明阻变存储器制备及其性能研究[J].福州大学学报(自然科学版),2018,46(1):70-74. |
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| 作者姓名： | 廖成浩 赖云锋 周海芳 |
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| 作者单位： | 福州大学物理与信息工程学院,福州大学物理与信息工程学院,福州大学物理与信息工程学院 |
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| 基金项目： | 福建省自然科学基金资助项目(2015J01249, 2016J01298) |
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| 摘 要： | 利用微电子加工工艺在柔性PET衬底上制备透明氧化铪基阻变存储器.采用氧化铪/氧化锌双介质层将存储器转变电流降低至μA量级,从而实现柔性透明存储器的低功耗(μW量级).研究表明,双介质层阻变存储器不仅具有稳定、可重复的阻变存储特性,还具有一定抗弯折性能和较高的热稳定性.进一步研究表明,由于氧化铪/氧化锌界面势垒的存在,抑制了介质中电荷的输运,从而达到器件低电流工作的效果.
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| 关 键 词： | 阻变存储器 柔性衬底 透明氧化物 低功耗 |
| 收稿时间： | 2016/11/14 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2016/12/5 0:00:00 |
Study on fully transparent HfOx-based RRAM with lower switching power on flexible substrates |
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| LIAO Chenghao,LAI Yunfeng and ZHOU Haifang.Study on fully transparent HfOx-based RRAM with lower switching power on flexible substrates[J].Journal of Fuzhou University(Natural Science Edition),2018,46(1):70-74. |
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| Authors: | LIAO Chenghao LAI Yunfeng and ZHOU Haifang |
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| Institution: | College of Physics and Information Engineering,Fuzhou University,College of Physics and Information Engineering,Fuzhou University,College of Physics and Information Engineering,Fuzhou University |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | resistiverandom accessmemory flexible substrate transparent oxide low power |
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