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场致发射材料的特性
引用本文:林志贤,郭太良.场致发射材料的特性[J].福州大学学报(自然科学版),2000,28(4):22-25.
作者姓名:林志贤  郭太良
作者单位:福州大学电子科学与应用物理系,福建,福州,350002
基金项目:福建省自然科学基金资助项目!(F96024)
摘    要:主要论述了场致发射材料及其特性 ,对金属、硅微尖、金刚石薄膜、GaAs等的制备工艺和阴极特性作了较为详细的分析 .介绍了这些材料在新型场致发射显示器件 (FED)、真空微电子管作为阴极材料的应用 ,并对场致发射材料的获得和改进进行了初步的探讨

关 键 词:场致发射材料  阴极  制备工艺  特性
修稿时间:1999-11-02

The characteristics of field emission materials
LIN Zhi-xian,GUO Tai-liang.The characteristics of field emission materials[J].Journal of Fuzhou University(Natural Science Edition),2000,28(4):22-25.
Authors:LIN Zhi-xian  GUO Tai-liang
Institution:(Department of Electronic Science and Applied Physics, Fuzhou University,Fuzhou,Fujian 350002,China)
Abstract:In this paper some field emission materials and their characteristics are discussed. These materials include metals, silicon tips, diamond-films, GaAs etc. Their fabrication technology and cathode characteristics are analyzed in detail. Then we introduce the application of these materials in a new type FED and as cathodes in vacuum micro-electronic tubes. Finally, in summarizing some experience, we discuss the obtainment and improvement of field emission materials.
Keywords:field emission material  cathode  fabrication technology  characteristics
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