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煅烧温度对TiO2/Si光电效应的影响
引用本文:陈顺玉,李旦振,付贤智,刘平.煅烧温度对TiO2/Si光电效应的影响[J].福州大学学报(自然科学版),2001,29(6):115-117.
作者姓名:陈顺玉  李旦振  付贤智  刘平
作者单位:福州大学光催化研究所,福建福州,350002
基金项目:国家自然科学基金,福建省自然科学基金,教育部留学回国人员科研启动基金,29843003,B9820001,A0010014,1999-363,,,
摘    要:采用溶胶 -凝胶法在P -型单晶硅的表面镀上一层TiO2 薄膜 ,并在 2 0 0~ 90 0℃下煅烧得到TiO2 Si复合材料 .研究结果发现 ,经不同温度煅烧得到的TiO2 Si复合材料中TiO2 的晶相结构以及复合材料的吸光性能不同 ,其光电响应特性亦不同 .经 40 0℃煅烧得到的复合材料的光电压最强 ,相对于单晶硅约提高了 3个数量级

关 键 词:溶胶-凝胶法  TiO2/Si  煅烧温度  光电效应
文章编号:1000-2243(2001)06-0115-03
修稿时间:2001年5月15日

The influence of calcination temperature on the photoelectric effect of TiO2/Si
CHEN Shun-yu,LI Dan-zhen,FU Xian-zhi,LIU Ping.The influence of calcination temperature on the photoelectric effect of TiO2/Si[J].Journal of Fuzhou University(Natural Science Edition),2001,29(6):115-117.
Authors:CHEN Shun-yu  LI Dan-zhen  FU Xian-zhi  LIU Ping
Institution:(Research Institute of Photocatalysis, Fuzhou University, Fuzhou, Fujian 350002, China)
Abstract:
Keywords:sol-gel method  TiO  2/Si  calcining temperature  photoelectric effect
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
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