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金属半导体氧化物气敏性能研究进展
引用本文:
姜涛,吴一平.金属半导体氧化物气敏性能研究进展[J].信息与开发,1995(4):10-13.
作者姓名:
姜涛
吴一平
摘 要:
简介金属氧化物半导体气敏元件的掺杂技术,探讨了掺杂作用的机理,列举对最典型半导体气敏元件的掺杂和对其灵敏度和选择性的影响作用。
关 键 词:
MOS
灵敏度
金属氧化物
半导体
气敏性能
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