首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     检索      

金属半导体氧化物气敏性能研究进展
引用本文:姜涛,吴一平.金属半导体氧化物气敏性能研究进展[J].信息与开发,1995(4):10-13.
作者姓名:姜涛  吴一平
摘    要:简介金属氧化物半导体气敏元件的掺杂技术,探讨了掺杂作用的机理,列举对最典型半导体气敏元件的掺杂和对其灵敏度和选择性的影响作用。

关 键 词:MOS  灵敏度  金属氧化物  半导体  气敏性能
本文献已被 维普 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号