| 室温电化学方法制备SrMoO4薄膜 |
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| 引用本文： | 高道江,赖欣,毕剑.室温电化学方法制备SrMoO4薄膜[J].四川师范大学学报(自然科学版),2002,25(5):497-499. |
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| 作者姓名： | 高道江 赖欣 毕剑 |
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| 作者单位： | 四川师范大学,化学与生命科学学院,四川,成都,610066 |
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| 摘 要： | 采用恒电流技术于室温条件下直接在金属钼片上制备白钨矿结构的SrMoO4 薄膜 ,控制电化学反应的工艺条件为电流密度为 1mA cm2 、电解液的pH值为 13、电化学处理时间为 1h ,SEM和XRD分析结果表明制备的SrMoO4 薄膜为表面均匀致密且平均粒径为 2 μm的四方晶系单相薄膜 .
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| 关 键 词： | SrMoO4薄膜 电化学 恒电流 室温 |
| 文章编号： | 1001-8395(2002)05-0497-03 |
| 修稿时间： | 2002年3月28日 |
Preparation of the Scheelite-type SrMoO4 Film by Electrochemical Method at Room Temperature |
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| GAO Dao jiang,LAI Xin,BI Jian.Preparation of the Scheelite-type SrMoO4 Film by Electrochemical Method at Room Temperature[J].Journal of Sichuan Normal University(Natural Science),2002,25(5):497-499. |
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| Authors: | GAO Dao jiang LAI Xin BI Jian |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SrMoO 4 film Eletrochemical method Galvanostatic Room temperature |
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