应用于碳纳米管能带结构的Hückel模型 |
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引用本文: | 郭朝晖,何雄辉.应用于碳纳米管能带结构的Hückel模型[J].湘潭师范学院学报(自然科学版),2005,27(1):65-68. |
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作者姓名: | 郭朝晖 何雄辉 |
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作者单位: | 湖南科技大学,物理学院,湖南,湘潭,411201 |
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基金项目: | 湖南省教育厅资助科研项目(04C203) |
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摘 要: | 我们用Hückel模型(HMO)计算了碳纳米管的电子结构,研究了其能带与管径、螺旋度的关系.详细给出了其能带的计算方法,计算结果表明,(3m+1,0)、(3m+2,0)型管的能隙与管径的关系几乎按同一规律逐渐减小变化,(3m,0)型管在费米面附近存在约0.04eV的能隙,显示出窄隙半导体管的特征,而并非先前所报道的的金属管.
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关 键 词: | 碳纳米管 Hü ckel模型 电子结构 |
文章编号: | 1671-0231(2005)01-0065-04 |
修稿时间: | 2004年11月28 |
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