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应用于碳纳米管能带结构的Hückel模型
引用本文:郭朝晖,何雄辉.应用于碳纳米管能带结构的Hückel模型[J].湘潭师范学院学报(自然科学版),2005,27(1):65-68.
作者姓名:郭朝晖  何雄辉
作者单位:湖南科技大学,物理学院,湖南,湘潭,411201
基金项目:湖南省教育厅资助科研项目(04C203)
摘    要:我们用Hückel模型(HMO)计算了碳纳米管的电子结构,研究了其能带与管径、螺旋度的关系.详细给出了其能带的计算方法,计算结果表明,(3m+1,0)、(3m+2,0)型管的能隙与管径的关系几乎按同一规律逐渐减小变化,(3m,0)型管在费米面附近存在约0.04eV的能隙,显示出窄隙半导体管的特征,而并非先前所报道的的金属管.

关 键 词:碳纳米管    ckel模型  电子结构
文章编号:1671-0231(2005)01-0065-04
修稿时间:2004年11月28
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