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二硫化铁光电薄膜的制备技术的研究现状
引用本文:钟南保,程树英,郑明学,黄赐昌.二硫化铁光电薄膜的制备技术的研究现状[J].漳州师范学院学报,2005,18(3):77-80.
作者姓名:钟南保  程树英  郑明学  黄赐昌
作者单位:福州大学电子科学与应用物理系 福建福州350002 (钟南保,程树英,郑明学),福州大学电子科学与应用物理系 福建福州350002(黄赐昌)
基金项目:福建省教育厅基金资助项目(JA03009和JB04046)
摘    要:黄铁矿结构的二硫化铁(FeS2)是一种具有合适的禁带宽度(Eg≈0.95eV)和较高光吸收系数(当λ≤700nm时,α=5×105cm-1)的半导体材料,而且其组成元素在地球上储量丰富、无毒,有很好的环境相容性.因此,FeS2薄膜在光电子以及太阳能电池材料等方面有潜在的应用前景,受到人们的广泛关注.本文从不同制备方法所制备出的二硫化铁薄膜的研究结果,分析二硫化铁薄膜的研究现状.

关 键 词:二硫化铁薄膜  制备方法  光电性能
文章编号:1008-7826(2005)03-0077-04
收稿时间:2005-03-24
修稿时间:2005年3月24日

The research progress of preparing pyrite photoelectric thin films
ZHONG Nan-bao,CHENG Shu-ying,ZHENG Ming-xue,HUANG Ci-chang.The research progress of preparing pyrite photoelectric thin films[J].Journal of ZhangZhou Teachers College(Natural Science),2005,18(3):77-80.
Authors:ZHONG Nan-bao  CHENG Shu-ying  ZHENG Ming-xue  HUANG Ci-chang
Abstract:
Keywords:pyrite thin film  preparation method  optical and electrical properties
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