| 应用于433 MHz的柔性低噪声放大器设计 |
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| 引用本文： | 胡开龙,秦国轩.应用于433 MHz的柔性低噪声放大器设计[J].南京大学学报(自然科学版),2022(3):532-539. |
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| 作者姓名： | 胡开龙 秦国轩 |
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| 作者单位： | 1. 天津大学微电子学院;2. 天津市成像与感知微电子技术重点实验室 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金（61871285）；;天津市自然科学基金（18JCYBJC15900）； |
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| 摘 要： | 随着柔性电子设备在越来越多的领域得到关注，具有可延展弯曲特性的柔性电子技术已经被广泛应用于可穿戴、健康检测等新型电子设备.虽然目前国内外在高速柔性电子领域已有众多研究，但研究成果大都关注高速晶体管和高速柔性电子分立器件的设计制造，对柔性电路设计与柔性器件对电路性能的影响的研究非常有限.介绍基于PET（聚对苯二甲酸乙二醇酯）基板的柔性单晶硅TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)以及相同衬底工艺制作的柔性电容电感，并以此为核心设计了柔性两级低噪声放大器（Low Noise Amplifier,LNA），最终在433 MHz的工作频率附近实现了具有13.2 dB增益、12 dBm的1 dB压缩点以及3.4 dB噪声系数的柔性低噪声放大器.讨论了柔性电容电感在弯曲态下对放大器增益以及噪声系数的影响，比较了柔性与硬质基底电路的性能差异，扩展了柔性电路在射频领域的应用，为更高频率下和更复杂结构的柔性电路设计提供了指导.
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| 关 键 词： | 柔性电子 薄膜晶体管 低噪声放大器 阻抗匹配 |
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