| 氢等离子体退火对氢化非晶硅结构有序度的影响 |
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| 引用本文： | 芮云军,徐骏,梅嘉欣,阳玲,李伟,陈坤基.氢等离子体退火对氢化非晶硅结构有序度的影响[J].南京大学学报(自然科学版),2005,41(1):61-65. |
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| 作者姓名： | 芮云军 徐骏 梅嘉欣 阳玲 李伟 陈坤基 |
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| 作者单位： | [1]南京大学物理系，固体微结构物理国家重点实验室，南京，210093／／南京工业大学理学院应用物理系，南京，210009 [2]南京大学物理系，固体微结构物理国家重点实验室，南京，210093 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金 ( 10 3 740 49,10 1740 3 5,90 3 0 10 0 9,60 42 5414 )，江苏省自然科学基金 (BK2 0 0 2 40 7) |
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| 摘 要： | 室温下利用氢等离子体退火技术对氢化非晶硅(a-Si：H)薄膜进行处理，通过傅立叶红外、光吸收、拉曼光谱3种测试手段对非晶硅的微结构进行了分析，发现不同的退火时间对a—Si：H的微结构影响很大，氢等离子体在与薄膜的化学反应过程中主要表现为原子氢(H^0)与薄膜的反应．化学势很高的H^0能将Si—Si弱键转变成Si—Si强键．硅网络结构发生弛豫，使结构由无序向有序转变，从而能够降低晶化温度与退火时间．
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| 关 键 词： | 氢化非晶硅 微结构 等离子体退火 钝化 去钝化 |
Influence of Hydrogen Plasma Annealing on the Microstructural Ordering of Hydrogenated Amorphous Silicon |
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| Rui Yun-Jun.Influence of Hydrogen Plasma Annealing on the Microstructural Ordering of Hydrogenated Amorphous Silicon[J].Journal of Nanjing University: Nat Sci Ed,2005,41(1):61-65. |
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| Authors: | Rui Yun-Jun |
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| Institution: | Rui Yun-Jun~ |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | hydrogenated amorphous silicon microstructure hydrogen plasma annealing passivation depassivation |
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