| 交流磁化率谷效应的机制 |
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| 引用本文： | 张月蘅,丁世英.交流磁化率谷效应的机制[J].南京大学学报(自然科学版),2000,36(4):502-503. |
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| 作者姓名： | 张月蘅 丁世英 |
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| 作者单位： | [1]同济大学材料科学与工程系 [2]南京大学物理系,固体微结构物理国家重点实验室 |
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| 基金项目： | 中国自然科学基金! (195 940 16 )，国家重点基础研究专项经费资助 |
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| 摘 要： | 长期以来 ,人们已经对低温和高温超导体中临界电流密度 (Ｊｃ)的峰效应作了大量研究 .直接观察峰效应的方法是用输运或磁化强度测量来确定Ｊｃ 随温度或磁场的变化 .此外 ,其他方法也常用来研究峰效应 .例如 ,测量复交流磁化率 -温度关系的曲线的谷效应等等 .然而 ,交流磁化率的谷效应是否对应于临界电流密度的峰效应呢 ?这个问题不清楚 .这是我们进行数值模拟的目的之一 .通常交流磁化率的谷效应或临界电流的峰效应被认为是由体钉扎而不是由表面位垒引起的 .不久前在Ｂｉ2 Ｓｒ2 ＣａＣｕ2 Ｏ8(ＢＳＣＣＯ)单晶上观测到交流磁化率的谷效应…
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| 关 键 词： | 谷效应机制 交流磁化率 数值模拟 超导体 |
MECHANISM OF DIP EFFECT IN AC SUSCEPTIDILITY |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | dip effect ac susceptibility simulation |
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