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低温淀积纳米非晶碳薄膜的场发射特性研究
引用本文:邓宁,朱长纯.低温淀积纳米非晶碳薄膜的场发射特性研究[J].西安交通大学学报,2000,34(10).
作者姓名:邓宁  朱长纯
作者单位:西安交通大学,710049,西安
基金项目:国家自然科学基金资助项目!(69676004),教育部博士点基金资助项目!(96069803)
摘    要:以n型 ( 10 0 )Si为衬底 ,用CH4 和H2 作反应气体 ,在 150℃的衬底温度下淀积了非晶碳平面薄膜 .SEM照片和AFM均显示该薄膜具有很好的均匀性 ,非晶碳粒的尺寸为 90~ 10 0nm .喇曼谱分析表明 ,薄膜的主要成分为SP2 非晶碳 .对样品薄膜的不同区域进行了场发射特性的测试 ,各被测区域的场发射特性表现出很好的一致性 .在不同电压下进行了发光测试 .实验表明 ,样品薄膜的开启电场很低 ,约为 4V/ μm ,在 7V/ μm的电场下 ,场发射电流密度为 0 0 16A/cm2 ;用迭代法计算得薄膜的功函数为 0 65V .通过对样品的实际发射面积估算 ,得出发射点密度为 6× 10 4cm- 2 .

关 键 词:场致发射  非晶碳膜  发射点密度

Non-Crystalline Nano-Carbon Films Fabricated under Low Temperature
Deng Ning,Zhu Changchun.Non-Crystalline Nano-Carbon Films Fabricated under Low Temperature[J].Journal of Xi'an Jiaotong University,2000,34(10).
Authors:Deng Ning  Zhu Changchun
Abstract:
Keywords:field emission  non  crystalline carbon  emission spot density
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
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