| Ge0.6Si0.4／Si应变超晶格光电探测器中的光场分析 |
| |
| 引用本文： | 李国正,刘淑平.Ge0.6Si0.4／Si应变超晶格光电探测器中的光场分析[J].西安交通大学学报,1997,31(8):29-33. |
| |
| 作者姓名： | 李国正 刘淑平 |
| |
| 作者单位： | 西安交通大学 |
| |
| 摘 要： | 首次对Ｇｅ０．６Ｓｉ０．４／Ｓｉ应变超晶格光探测器中的光场分布进行了分析和研究，发现这种应变超晶格在总厚度Ｌ＝３４０ｎｍ的情况下，周期数Ｍ≥１５．５才能传输单模光波．另外，还计算了Ｇｅ０．６Ｓｉ０．４／Ｓｉ应变超晶格表面及传播一定距离后的光场分布，发现光在其中传播５００μｍ后已衰减到很小．这些结果对器件的设计具有重要的意义
|
| 关 键 词： | 锗硅 超晶格 探测器 |
Optical Field Analysis of the Ge 0 6 Si 0.4 /Si Strained Layer Superlattice Photodetector |
| |
| Li,Guozheng,Liu,Shuping,Zhang,Hao.Optical Field Analysis of the Ge 0 6 Si 0.4 /Si Strained Layer Superlattice Photodetector[J].Journal of Xi'an Jiaotong University,1997,31(8):29-33. |
| |
| Authors: | Li Guozheng Liu Shuping Zhang Hao |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | GeSi strained layer superlattice detector |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ |
