中性载体为活性物质的PVC膜K~+-ISFET及其敏感机理分析 |
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引用本文: | 方培生,黄强.中性载体为活性物质的PVC膜K~+-ISFET及其敏感机理分析[J].西安交通大学学报,1984(6). |
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作者姓名: | 方培生 黄强 |
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作者单位: | 西安交通大学电子工程系,西安交通大学化学与化工系 |
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摘 要: | 本文阐述以Si_3N_4/SiO_2为绝缘膜.用4.4二叔丁基二苯并-30-王冠-10作为活性物质的钾离子敏感半导体探头的研制成功,并对其特性及钾离子敏感性进行了研究。实验结果说明,它具有理想的PK灵敏度和良好的稳定性.应用“偶极子模型”,从理论上分析钾离子敏感机理.
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