首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     检索      

中性载体为活性物质的PVC膜K~+-ISFET及其敏感机理分析
引用本文:方培生,黄强.中性载体为活性物质的PVC膜K~+-ISFET及其敏感机理分析[J].西安交通大学学报,1984(6).
作者姓名:方培生  黄强
作者单位:西安交通大学电子工程系,西安交通大学化学与化工系
摘    要:本文阐述以Si_3N_4/SiO_2为绝缘膜.用4.4二叔丁基二苯并-30-王冠-10作为活性物质的钾离子敏感半导体探头的研制成功,并对其特性及钾离子敏感性进行了研究。实验结果说明,它具有理想的PK灵敏度和良好的稳定性.应用“偶极子模型”,从理论上分析钾离子敏感机理.

本文献已被 CNKI 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号