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直流弧放电等离子体喷流CVD法高速合成金刚石薄膜的研究
引用本文:林书铨,刘海军.直流弧放电等离子体喷流CVD法高速合成金刚石薄膜的研究[J].西安交通大学学报,1993,27(5):25-28.
作者姓名:林书铨  刘海军
作者单位:西安交通大学电子工程系物理电子技术专业 (林书铨,沈伯礼,唐敦乙),西安交通大学电子工程系电子材料与元件专业 (刘海军),西安交通大学电子工程系电子材料与元件专业(陈培基)
摘    要:描述了用直流弧放电等离子体喷流CVD法来合成金刚石薄膜的过程。通过实验确定了金刚石生长的最佳条件。实验结果表明,金刚石薄膜的生长速率约为64μm/h。借助拉曼光谱证实了膜为金刚石膜,扫描电镜拍摄的照片清楚的显示了晶体的形状。

关 键 词:CVD法  金刚石薄膜  等离子体喷流

STUDY OF DIAMOND FILM GROWTH WITH HIGH RATE BY ARC PLASMA SPRAYING
Lin Shuquan Shen Buli Tang Dunyi Liu Haijun Chen Peiji.STUDY OF DIAMOND FILM GROWTH WITH HIGH RATE BY ARC PLASMA SPRAYING[J].Journal of Xi'an Jiaotong University,1993,27(5):25-28.
Authors:Lin Shuquan Shen Buli Tang Dunyi Liu Haijun Chen Peiji
Institution:Department of Electronic Engineering
Abstract:
Keywords:fast growth  diamond film  arc discharge  plasma spray
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