GaAs光导开关电极制备工艺及性能测试 |
| |
引用本文: | 党鑫,杨向红,孙岳,刘康,朱莉,胡龙,李昕,刘卫华,王小力.GaAs光导开关电极制备工艺及性能测试[J].西安交通大学学报,2022(2):184-190. |
| |
作者姓名: | 党鑫 杨向红 孙岳 刘康 朱莉 胡龙 李昕 刘卫华 王小力 |
| |
作者单位: | 西安交通大学电子与信息学部 |
| |
基金项目: | 国家自然科学基金资助项目(51707162); |
| |
摘 要: | 为了解决目前GaAs光导开关成品率低、稳定性差和可靠性低等问题,提出了GaAs光导开关的关键电极制备工艺解决方案。该方案首先以半绝缘GaAs材料作为衬底,利用电子束蒸镀机在GaAs衬底上沉积Ni/Ge/Au/Ni/Au金属复合层作为光导开关电极,并对电极进行快速退火使其与GaAs衬底形成欧姆接触;然后,为了隔绝光导开关与外界环境,在GaAs衬底上沉积氮化硅作为钝化保护层;最后,通过在欧姆接触电极上外延场板的工艺,制备出电极间距为4 mm的异面GaAs光导开关。对所制备的GaAs光导开关的测试结果表明:在400℃退火条件下,电极的接触电阻率最低可达到0.019 5Ω·cm2;采用50Ω单脉冲形成线,在工作频率为1 kHz、偏置电压为22 kV时,光导开关的输出电压脉冲为10 kV,脉冲上升时间为亚ns量级。采用该制备方法制备的GaAs光导开关的成品率高达约98%,可稳定工作上万次。
|
关 键 词: | GaAs光导开关 电极制备 欧姆接触 性能测试 可靠性 |
|
|