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耐高温硅隔离压阻力敏芯片的研究
引用本文:赵立波,赵玉龙,方续东,李建波,李勇,蒋庄德.耐高温硅隔离压阻力敏芯片的研究[J].西安交通大学学报,2010,44(9).
作者姓名:赵立波  赵玉龙  方续东  李建波  李勇  蒋庄德
作者单位:1. 西安交通大学机械制造系统工程国家重点实验室,710049,西安;清华大学摩擦学国家重点实验室,100084,北京
2. 西安交通大学机械制造系统工程国家重点实验室,710049,西安
3. 清华大学摩擦学国家重点实验室,100084,北京
基金项目:国家自然科学基金资助项目,西安交通大学机械制造系统工程国家重点实验室开放基金和机械工程学院青年教师基金 
摘    要:采用微型机械电子系统技术制作出了具有高精度、高频响特点的耐高温硅隔离压阻力敏芯片.根据压阻力敏芯片的版图设计结构,基于弹性薄板小扰度弯曲理论计算分析了压阻力敏芯片的结构尺寸和固有频率.采用静电键合工艺将压阻力敏芯片封装在硼硅玻璃环上,形成倒杯式弹性敏感单元,通过有限元仿真分析了玻璃环对压阻力敏芯片性能的影响.根据温度实验数据及计算结果,得到压阻力敏芯片各温度点的热零点漂移的绝对值均小于0.02%FS·℃-1,说明该压阻力敏芯片的准确度等级优于0.1%FS·℃-1,且零点稳定性好.

关 键 词:微型机械电子系统  硅隔离压阻力敏芯片  硼硅玻璃环

High Temperature Silicon-on-Insulator Piezoresistive Pressure Sensitive Chip
ZHAO Libo,ZHAO Yulong,FANG Xudong,LI Jianbo,LI Yong,JIANG Zhuangde.High Temperature Silicon-on-Insulator Piezoresistive Pressure Sensitive Chip[J].Journal of Xi'an Jiaotong University,2010,44(9).
Authors:ZHAO Libo  ZHAO Yulong  FANG Xudong  LI Jianbo  LI Yong  JIANG Zhuangde
Abstract:
Keywords:
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