| ZnGa_2Se_4:V~(3+)光谱的理论研究 |
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| 引用本文： | 李东阳,杜懋陆.ZnGa_2Se_4:V~(3+)光谱的理论研究[J].西南民族学院学报(自然科学版),2014(2):261-264. |
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| 作者姓名： | 李东阳 杜懋陆 |
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| 作者单位： | [1]西南民族大学预科教育学院,四川 成都610041 [2]西南民族大学电信学院,四川 成都610041 |
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| 基金项目： | 中央高校基本科研业务费专项项目（11NZYQN37）. |
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| 摘 要： | 应用区分t2和e轨道共价性的差异(包含静电部分和晶场部分)并考虑了低对称场的能量矩阵,在考虑和忽略静电参量B00的条件下,分别研究了t2和e轨道共价性的差异对三元半导体ZnGa2Se4:V 3+能级以及低对称分裂的影响;计算了ZnGa2Se4:V 3+晶体的能级的低对称分裂,并与实验值进行比较.计算结果与实验值符合很好.研究发现:在对ZnGa2Se4:V 3+晶体的光学性质进行理论研究时,在能量矩阵的静电和晶场部分同时考虑t2和e轨道共价性的差异是非常有必要的;晶场参量B00对ZnGa2Se4:V 3+的能级有重要影响,因此不能忽略.
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| 关 键 词： | V+ ZnGaSe 光谱 |
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