| 脉冲准分子激光制备多层铁电薄膜的铁电性能研究 |
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| 引用本文： | 易图林,何翔.脉冲准分子激光制备多层铁电薄膜的铁电性能研究[J].西南民族学院学报(自然科学版),1999,25(1):45-49. |
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| 作者姓名： | 易图林 何翔 |
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| 作者单位： | 中南民族学院电子工程系 |
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| 摘 要： | 为ＦＲＡＭ、ＦＦＥＴ、ＦＤＭ的实际应用和研究提出了多层结构铁电薄膜的设计思想．采用脉冲准分子激光淀积方法实际制备了两种不同电极的ＢＩＴ／ＰＬＺＴ／ＢＩＴ／ｐ－Ｓｉ多层铁电薄膜．用Ｓａｗｙｅｒ－Ｔｏｗｅｒ电路测试了这两种薄膜的铁电性能．结果表明，多层结构铁电薄膜具有良好的铁电性能，并且以氧化物为电极的铁电薄膜的铁电性能优于用金属为电极的铁电薄膜
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| 关 键 词： | PLD方法 BIT／PLZT／BIT多层铁电薄膜 铁电性能 |
Investigation into Ferroelectric Characteristics of Multilayer Thin Films Prepared by PLD |
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| YI Tu lin,HE Xiang,SUN Feng lou.Investigation into Ferroelectric Characteristics of Multilayer Thin Films Prepared by PLD[J].Journal of Southwest Nationalities College(Natural Science Edition),1999,25(1):45-49. |
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| Authors: | YI Tu lin HE Xiang SUN Feng lou |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | PLD method BIT/PLZT/BIT multilayer ferroelectric thin film ferroelectric characteristics |
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