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Pb(In1/2Nb1/2)O3-Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3弛豫铁电薄膜厚度尺寸效应研究
引用本文:贾慧霞,杨嘉倩,沈逸尘,谢济舟,段志华,王飞飞.Pb(In1/2Nb1/2)O3-Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3弛豫铁电薄膜厚度尺寸效应研究[J].上海师范大学学报(自然科学版),2023,52(5):574-581.
作者姓名:贾慧霞  杨嘉倩  沈逸尘  谢济舟  段志华  王飞飞
作者单位:上海师范大学 数理学院, 上海 200234;上海师范大学附属中学宝山分校, 上海 200444
基金项目:国家自然科学基金(11974250)
摘    要:新一代弛豫铁电薄膜Pb(In1/2Nb1/2)O3-Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3(PIMNT)因兼具优异的电学性能与高的相变温度,在国内外获得广泛关注.为了探究不同薄膜厚度对PIMNT薄膜的结构及电学性能的影响,通过溶胶凝胶法制备了150 nm~1 μm不同厚度的PIMNT薄膜,对其形貌结构以及电学性能进行了对比研究,在此基础上进一步研究了极化对其电学性能的影响.实验结果表明:随着厚度的增加,薄膜介电常数先增加后略有降低,剩余极化强度先增大后减小,矫顽场逐渐增大;在极化电压为18 V、极化温度和时间分别为100℃和5 min时,1 μm厚度PIMNT薄膜的介电常数和损耗在100 Hz下分别为1 009和0.022,室温下的热释电系数达6.85×10-4 C·m-2·K-1,是目前主流的锆钛酸铅(PZT)薄膜的3倍左右.

关 键 词:Pb(In1/2Nb1/2)O3-Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3(PIMNT)薄膜  厚度尺寸效应  电学性能  极化  热释电系数
收稿时间:2023/8/20 0:00:00
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